英飞凌科技股份公司近日推出新一代高压（HV）和中压（MV）CoolGaN^TM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓（GaN）的应用范围扩大到40 V至700 V电压，进一步推动数字化和低碳化进程。在马来西亚居林和奥地利菲拉赫，这两个产品系列采用英飞凌自主研发的高性能 8 英寸晶圆工艺制造。英飞凌将据此扩大CoolGaN^TM的优势和产能，确保其在GaN器件市场供应链的稳定性。据Yole Group预测，未来五年GaN器件市场的年复合增长率（CAGR）将达到46%。

英飞凌科技电源与传感系统事业部总裁Adam White表示：“这两个系列的发布是建立在英飞凌去年收购GaN Systems的基础之上，它们将为我们的客户带来更高的效率和性能。英飞凌新一代高压和中压CoolGaNTM系列展示了我们的产品优势，并且完全采用8英寸工艺制造，证明了GaN在更大晶圆直径上的快速扩展能力。我们期待客户通过这些新一代GaN器件推出各种创新应用。”

CoolGaN™ G3系列晶体管和CoolGaN™ G5系列晶体管

全新650 V G5系列适用于消费、数据中心、工业和太阳能领域的应用。该系列产品是英飞凌基于GIT的新一代高压产品。另一个采用8英寸工艺制造的全新系列是G3中压器件，覆盖了60 V、80 V、100 V和120 V的CoolGaNTM晶体管电压等级，以及40 V双向开关（BDS）器件。G3中压产品主要面向电机驱动、电信、数据中心、太阳能和消费应用。

供货情况

CoolGaNTM 650 V G5将于2024年第四季度上市，CoolGaNTM G3中压产品将于2024年第三季度上市。样品现已开始供应。

来源：EEPW